IS43LD16160B-25BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Deutsch
Artikelnummer: | IS43LD16160B-25BLI |
---|---|
Hersteller / Marke: | Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) |
Teil der Beschreibung.: | IC DRAM 256MBIT PAR 134TFBGA |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $8.46 |
10+ | $7.782 |
25+ | $7.6196 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 15ns |
Spannungsversorgung | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 |
Supplier Device-Gehäuse | 134-TFBGA (10x11.5) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 134-TFBGA |
Paket | Tray |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TC) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 256Mbit |
Speicherorganisation | 16M x 16 |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Uhrfrequenz | 400 MHz |
Grundproduktnummer | IS43LD16160 |
256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 16Mx16,
2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 4
IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 134TFBGA
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 4
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IS43LD16160B-25BLIISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|